• <menu id="3tbhn"></menu>
    <th id="3tbhn"><table id="3tbhn"></table></th>
      

      <th id="3tbhn"><sup id="3tbhn"></sup></th>
          <form id="3tbhn"></form>
          

          <rp id="3tbhn"></rp>
            <strong id="3tbhn"><li id="3tbhn"></li></strong>
            
人妻中文字幕精品系列,中文字幕日韩有码国产,麻豆国产AV剧情偷闻女邻居内裤,国产亚洲精品第一综合另类无码无遮挡又大又爽又黄的视频
,国产精品v片在线观看不卡,色爱综合另类图片av,国产精品成人午夜久久,国产在线观看播放av 
            為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案
            • 薄膜沉積 • 薄膜刻蝕 • 定制設(shè)備
            為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案
            • 薄膜沉積 • 薄膜刻蝕 • 定制設(shè)備
            為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案
            • 薄膜沉積 • 薄膜刻蝕 • 定制設(shè)備
            "產(chǎn)品中心
            為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案
            AVP 電子束蒸鍍機(jī) SYSTEM
            -制備高性能、高可靠性功能薄膜的關(guān)鍵設(shè)備
            
-廣泛用于高熔點(diǎn)、高沸點(diǎn)材料處理，如蒸發(fā)鎢、鉬、鉭、氧化鋁等材料
            
-附著力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)致密的高質(zhì)量薄膜
            
-實(shí)踐證明的可靠、低成本、高產(chǎn)能的薄膜沉積系統(tǒng)和工藝
            -制備高性能、高可靠性功能薄膜的關(guān)鍵設(shè)備
            
-廣泛用于高熔點(diǎn)、高沸點(diǎn)材料處理，如蒸發(fā)鎢、鉬、鉭、氧化鋁等材料
            
-附著力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)致密的高質(zhì)量薄膜
            
-實(shí)踐證明的可靠、低成本、高產(chǎn)能的薄膜沉積系統(tǒng)和工藝
            AVP IBE System
            - 廣泛適用所有材料刻蝕，包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。 
            
-  成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運(yùn)行的薄膜刻蝕系統(tǒng)  
            
- 歐美工業(yè)生產(chǎn)驗(yàn)證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝  
            
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復(fù)性
            - 廣泛適用所有材料刻蝕，包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。 
            
-  成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運(yùn)行的薄膜刻蝕系統(tǒng)  
            
- 歐美工業(yè)生產(chǎn)驗(yàn)證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝  
            
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復(fù)性 
            
- 純物理刻蝕，采用惰性氣體為工藝氣體，環(huán)保、無(wú)污染，應(yīng)用廣泛
            AVP HR PVD System
            -高濃度離子輔助的傾角濺射（Directional Sputtering）
            
-高速率反應(yīng)濺射，如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
            
-優(yōu)異的薄膜厚度均勻性（1σ<1%），裹覆率（Step Coverage ~50%）
            
-基片背面氦氣冷卻，基片溫度（<50°C）
            
-高靶材使用率（>8
            -高濃度離子輔助的傾角濺射（Directional Sputtering）
            
-高速率反應(yīng)濺射，如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
            
-優(yōu)異的薄膜厚度均勻性（1σ<1%），裹覆率（Step Coverage ~50%）
            
-基片背面氦氣冷卻，基片溫度（<50°C）
            
-高靶材使用率（>80%）
            "支持與服務(wù)
            為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案
            "關(guān)于艾微普
            為客戶提供全面的設(shè)備和工藝解決方案
            專注打造世界先進(jìn)水平的高端微納器件、半導(dǎo)體、及新能源加工設(shè)備
            公司由美國(guó)硅谷企業(yè)家團(tuán)隊(duì)與國(guó)內(nèi)著名上市企業(yè)天通公司(TDG)合作，在浙江海寧創(chuàng)立。公司聚集了多位海內(nèi)外資深微納加工及半導(dǎo)體設(shè)備、工藝、材料專家，專注打造世界先進(jìn)水平的高端微納器件、半導(dǎo)體、及新能源加工設(shè)備。

            
公司的核心技術(shù)和產(chǎn)品包括物理氣相沉積/磁控濺射（PVD）、離子束刻蝕機(jī)（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕機(jī)（RIE）、電子束蒸鍍機(jī)等系列MEMS、半導(dǎo)體、新能源器件制造專用設(shè)備。公司自創(chuàng)立以來(lái)，已經(jīng)獲得幾十項(xiàng)國(guó)家專利。
            公司總部
            中國(guó)浙江省嘉興市海寧市海昌街道芯中路6號(hào)16幢
             手機(jī)網(wǎng)站
            支持與服務(wù)
            下載
            聯(lián)系我們
            
           版權(quán)所有 © 2023 浙江艾微普科技有限公司      備案號(hào): 浙ICP備20004147號(hào)      技術(shù)支持：浙江炎黃在線